艺炫电子科技——MOS管
开关电源(SMPS)技术依托电源半导体开关设备，如金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘门双极晶体管(IGBT)。这些设备提供了快速开关时间，能够耐受没有规律的电压峰值。同样重要的是，其在 On 状态或 Off 状态下消耗的功率非常小，实现了很高的效率，而生成的热量很低。开关设备在极大程度上决定着 SMPS 的整体性能。开关设备的关键测量项目包括开关损耗、平均功率损耗等等。
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MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator） —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，电子元器件在线咨询，即使两 端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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MOS失效的原因
1：雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，安徽元器件，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。
2：SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。
4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
5：静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。
6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。
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MOS管怎么检测好坏
mos管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，电子元器件批发，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，电子元器件价格，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管，叫做场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化
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