艺炫电子科技——MOS管
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator) —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两 端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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MOS失效的原因
1:雪崩失效(电压失效),也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压,并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。
2:SOA失效(电流失效),既超出MOSFET安全工作区引起失效,分为Id超出器件规格失效以及Id过大,损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
3:体二极管失效:在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中,由于体二极管遭受破坏而导致的失效。
4:谐振失效:在并联使用的过程中,栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
5:静电失效:在秋冬季节,电子元器件价格,由于人体及设备静电而导致的器件失效。
6:栅极电压失效:由于栅极遭受异常电压尖峰,而导致栅极栅氧层失效。
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p型mos管应用
一般用于管理电源的通断,广州元器件,属于无触点开关,栅极低电平就完全导通,高电平就完全截止。而且,栅极可以加高过电源的电压,意味着可以用5v信号管理3v电源的开关,这个原理也用于电平转换。
n型mos管应用
一般用于管理某电路是否接地,属于无触点开关,栅极高电平就导通导致接地,低电平截止。当然栅极也可以用负电压截止。其高电平可以高过被控制部分的电源,电子元器件批发,因为栅极是隔离,所以也可以用5v信号控制3v系统的某处是否接地。
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mos管隔离驱动电路,如果驱动高压MOS管,我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。这两个解决方案都有自己的优点和缺点,电子元器件厂家,适合不同的应用。集成高边驱动器方案很方便,优点是电路板面积较小,缺点是有很大的导通和关断延迟。变压器耦合解决方案的优点是延迟非常低,可以在很高的压差下工作。常它需要更多,缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识
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