要了解防爆节能LED灯法兰式GMD130-M50f的发光原理，首先要了解半导体的基本知识。半导体材料的导电性质介于导体和绝缘体材
料之间，它的独特之处在于：当半导体受到外界光和热条件的刺激时，它的导电能力会发生显著的变化；在纯净的半导体中加入微量的杂质，其导电能力也会显著的增加。在近代电子学中用得多的半导体就是硅（Si）和锗（Ge），它们的外层电子都是4个，在硅或者锗原子组成晶体时相邻的原子相互影响，使外侧电子变成两个原子共有的，这就形成了晶体中的共价键结构，这是一种约束能力很小的分子结构。在室温（300K）情况下，由于受到热激发就会使一些外层电子获得足够的能量而脱离共价键束缚变成自由电子，这个过程叫做本征激发。在电子摆脱束缚成为自由电子后，共价键中会留下一个空位，这个空位称为空穴，空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特征。
由于共价键出现了空穴，在外加电场或者其他的能源作用下，邻近的价电子就会填补这个空穴，而这个电子的原来位置上又形成新的空穴，以后其他电子再转移到这个新的空穴上。这样就产生了一定的电荷转移我们可以用以下公式对本征半导体中的自由电子的浓度进行计算：
ni（T）=AT3/2e－EG/2kT式中，
EG——电子挣脱共价键束缚所需要的能量，单位是eV（电子伏），又被称为禁带宽度；
T——温度；
A——系数；
k——波耳兹曼常数（1．38×10－23J/K）；
e——自然对数的底。
由于在本征半导体中自由电子和空穴是成对出现的，所以这个计算公式也可以用来表示空穴的浓度。在半导体中自由电子（或空穴）的浓度越高，导电能力越强，在常温附近，温度每升高8℃，硅的自由电子浓度增加1倍；温度每升高12℃，锗的自由电子浓度升高1倍。
在本征半导体中加入少量的五价元素杂质如磷等，它在与其他半导体原子结成共价键以后会有一个多余的电子，这个多余的电子只需要非常小的能量就能摆脱束缚成为自由电子，这类杂质半导体被称为电子半导体（N型半导体）。而在本征半导体中加入少量的三价元素杂质（如硼等），因为它外层只有三个电子，在与周围的半导体原子组成共价键以后会在晶体中产生一个空位，这类杂质半导体被称为空穴半导体（P型半导体）。在N型和P型半导体结合后，在它们的交界处就会出现自由电子和空穴的浓度差别，于是电子和空穴都要向浓度低的地方扩散，留下了一些带电却不能移动的离子，从而破坏了N区和P区原来的电中性。这些不能移动的带电粒子通常被称为空间电荷，它们集中在N区和P区交界面附近形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的PN结。
在PN结的两端加上正向偏置电压（P型的一边加正电压）后，空穴和自由电子就会相互移动，形成一个内电场。随后新注入的空穴和自由电子再重新复合，复合的同时有时会以光子的形式释放多余能量，这就是我们所见到的LED发出的光。这样的光谱范围是比较窄的，由于每种材料的禁带宽度不相同，所以释放出的光子波长也不同，所以LED发光的颜色由所使用的基本材料决定.
防爆节能LED灯法兰式GMD130-M50f适用范围：
1、广泛应用于石油开采、炼油、化工、军工等危险环境及海洋石油平台、油轮等场所作普通照明和作业照明之用；
2、适用于节能改造项目及检修更换困难的场所；
3、适用于防护等级要求较高、潮湿的场所；
4、适用于爆炸性气体环境的1区、2区场所；
5、适用于IIA、IIB、IIC类爆炸性气体环境；
6、防爆节能LED灯法兰式GMD130-M50f适用于T1-T6组温度组别。
