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其一，静电放电（ESD）造成的危害：
（1）引起电子设备的故障或误动作，造成电磁干扰。
（2） 击穿集成电路和精密的电子元件，或者促使元件老化，降低生产成品率。
（3）高压静电放电造成触电，危及人身安全。
（4） 在粉尘、油雾的生产场所极易引起燃爆和火灾。
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静电泄放的途径是多样的，包括空气也能被泄放，我们要能及时泄放，不能累计到一定程度再泄放，累计到一定程度后的静电电压高达10~30KV，这是很高的电压，头发都能竖起来。并且静电放电的特点是顶端放电，成直线集中放电，接地越好的设备被集中放电就麻烦大了，特别是在油墨盘的位置，不起火才怪。 随着微电子工业制造技术的飞速发展，集成电路的集成度不断提高，采用 0.1 5~0.25m m制造工艺的CMOS器件被广泛使用，其耐击穿电压下限通常只有50V~100V。有着更高集成度的超高速、高频IC器件，采用了特殊的制造工艺，如薄膜技术、浅PN结、GaAs材料、微小封装等，其对ESD、电浪涌、机械应力、热应力等更为敏感，有的VMOS器件耐压只有30V。这就给含有上述静电敏感器件产品的生产制造过程提出了更严格的静电防护要求。
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防止静电危害的原则是控制静电的产生和防止静电的积累。控制静电的产生主要是控制工艺过程和合理选择工艺过程所用的材料；防止静电的积累要求设法加速静电的泄漏和中和，使静电不超过安全限度。
就是在工艺流程、设备结构、材料选择和操作管理等方面采取措施，以达到限制静电的产生或控制静电积累的目的。具体方法如下：1）、 限制输送速度：降低液体输送中的摩擦速度或液体物料在管道中的流速等工作参数，可限制静电的产生。
