电容器在电源中的应用之浪涌电压保护
可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。
开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，X光机高压陶瓷电容器报价，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值，因此，对于这种应用而言，薄膜电容器是恰当之选。
在额定电压值高达2000VDC的条件下，典型的电容额定值在470PF～47NF之间。对于大功率的半导体器件，如IGBT，电容值可高达2.2ΜF，电压在1200VDC的范围内。不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的DV/DT值。耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。因此，应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。
高压陶瓷电容器的测验方法
可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。
高压陶瓷电容器的可靠性测验，也叫老化测验，寿数测验，包含很多方面的测验内容：
1、串联电阻测验，绝缘电阻测验；
2、拉力测验，即引线与芯片焊接的结实度；
3、正负温改变率测验，即-40度到 60度状况下，电容的改变率；
4、老化测验，高压陶瓷电容在模仿作业环境状态下运作30~60天，测验其衰减其各项参数的改变；
5、耐压试验，包含额定作业电压24小时作业测验；也包含击穿耐压，即破坏性测验，电容被击穿前的那一个临界电压就是击穿电压。
6、局放测验，即部分放电测验；
7、寿数测验，即在老化测验的基础上，再对电容进行高频冲电流下快速充放电测验，得到的充放电次数就是充放电寿数，留意，这个寿数的得出是在长时间的老化之后得出的。
电容器
可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。
电容器，电容器通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是‘装电的容器\’，是一种容纳电荷的器件。英文名称：capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。
电容器的电阻器在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。阻值不能改变的称为固定电阻器。
阻值可变的称为电位器或可变电阻器。理想的电阻器是线性的，即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。用于分压的可变电阻器。在裸1露的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值
这就是电容器的电阻器的介绍。
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