可控硅模块受损原因分析
可控硅模块受损原因
1、电压击穿。
可控硅模块不能承受电压而损坏，在其芯片中有一个光洁的小孔，有时需要用扩大镜才能看到，其原因可能是管子本身耐压下降或者是被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。
如果芯片被烧成一个凹坑，并且非常粗糙，其位置在原理控制极上，这种往往就属于电流损坏。
3、电流上升率损坏。
如果上述芯片凹坑位置在控制极附近或者是就在控制极上，那么可能就是电流上升率损坏所致。
4、边缘损坏。
这种受损发生在芯片芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
可控硅模块的防护措施
可控硅模块的防护措施：
一、过电流保护措施。
可控硅模块过电流的主要原因是过载、短路和误触发，常见的过电流保护有以下三种：
1、过电流继电器。
在电流超过过电流继电器的整定值时，过电流继电器就会动作，切断保护电路，但是由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所以，只能用作可控硅的过载保护。
2、过载截止保护。
利用过电流的信号将可控硅的触发信号后移，或者使得可控硅模块的导通角减小，或者干脆停止触发保护可控硅。
3、快速熔断器。
快速熔断器中的熔丝是银质的，只要选择得当，在同样的过电流倍数下，就可以在可控硅损坏前先熔断，从而保护了晶闸管。
可控硅模块的防护措施:过电压保护
过电压保护。
过电压可能会导致可控硅模块击穿，主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或者可控硅在导通与截止间的转换，对过电压保护可采取以下两种保护措施：
1、阻容保护。
阻容保护是电阻和电容串联后，接在可控硅电路中的一种过电压保护方式，其实质就是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使得耗能元件的特性，将过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻将这部分能量消耗掉。
2、硒堆保护。
可以说，可控硅模块在弱点面前，还是比较容易损坏的，用户一定要注意做好以上保护措施。
