双向可控硅属于NPN五层器件,三个电极分别是T1、T2、G
可控硅（又叫晶闸管）T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成可控硅的主电路，可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电路。
双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向晶闸管的伏安特性由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。
可控硅模块的主要参数介绍
可控硅模块在控温、调光、励磁、电镀、充放电、电焊机、等离子拉弧等领域有着广泛的应用，它能够起到对电力能量大小进行调整与变换的作用，在工业、通讯、等场合作用大，但是，在实际应用中，仍然有人对可控硅模块不是特别了解，今天，小编就可控硅模块的主要参数进行简单介绍介绍。
可控硅模块的主要参数：
(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
(2) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
(3) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
(4) 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所需的阳极正向电流。
(5)控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的控制极电流和电压。
可控硅主要技术参数:1、额定通态电流也是*大稳定工作电流
可控硅主要技术参数：
1、额定通态电流也就是*大稳定工作电流，俗称电流，常用可控硅的额定通态电流一般为一安到几十安。
2、反向重复峰值电压（VRRM）或者断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压，常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3、控制极触发电流（IGT），俗称触发电流，常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4、额定正向平均电流。也就是在规定温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。
可控硅模块温度保护显得尤为必要
可控硅与其他设备一样，在实际使用时会因为自身功耗出现发热的现象，在这种情况下，如果不采取适当措施将热量散热出去，就会引起模块管芯PN结温度急剧上升，使得器件特性恶化，导致完全损坏。所以，可控硅模块温度保护显得尤为必要。
一般来说，可控硅模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成，在工频或者400Hz以下频率的应用中主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作，设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要，千万不可大意！散热器的常用散热方式有：自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是：控制模块中管芯的结温不超过产品数据表给定的额定结温。
