一种半导体氧化设备，其配有:由室壁界定的可密封氧化室;设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座;用于向所述氧化室供应对所述
半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分;监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处;监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品;以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。
随着半导体芯片工艺技术节点进入 28 纳米、14 纳米等更先进等级，半导体清洗设备，工艺流程的延长且越趋复杂，产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是先进制程对杂质的敏感度更高，小尺寸污染物的清洗更困难。解决的方法主要是增加清洗步骤。每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过 200 道清洗步骤，晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性。
泛半导体工艺伴随许多种特殊制程，会使用到大量超高纯（ppt 级别）的干湿化学品，这是完成工艺成果的重要介质，四川半导体清洗设备，其特点是昂贵并伴随排放。在集成电路领域，半导体清洗设备供应商，高纯工艺系统主要包括高纯特气系统、大宗气体系统、高纯化学品系统、研磨液供应及回收系统、前驱体工艺介质系统等。其中，各类高纯气体系统主要服务于几大干法工艺设备，各类高纯化学品主要服务于湿法工艺设备。
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