光刻胶趋势
半导体光刻胶领域市场规模趋于稳定，RR41光刻胶， 2017年市场约13.5亿美元；约20.2亿元，近5年复合增速达12%。受半导体市场复苏和国内承接产业转移，预计光刻胶市场将保持稳定增速，RR41光刻胶报价，国内市占率稳步抬升。
光刻胶生产、检测、评价的设备价格昂贵，需要一定前期资本投入；光刻胶企业通常运营成本较高，下游厂商认证采购时间较长，RR41光刻胶价格，为在设备、研发和技术服务上取得竞争优势，需要足够的中后期资金支持。企业持续发展也需投入较大的资金，光刻胶行业在资金上存在较高的壁垒，国外光刻胶厂商相对于国内厂商，其公司规模更大，具有资金和技术优势。
总体上，光刻胶行业得到国家层面上的政策支持。《国家集成电路产业发展推进纲要》，提出“研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备，RR41光刻胶公司，开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料”；国家重点支持的高新技术领域（2015）中提到“高分辨率光刻胶及配套化学品作为精细化学品重要组成部分，是重点发展的新材料技术”；光刻技术（包括光刻胶）是《中国制造 2025》重点领域。
光刻的工序
下面我们来详细介绍一下光刻的工序：
一、清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性
基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。
二、预烘和底胶涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）
由于光刻胶中含有溶剂，所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的。硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性、通常大约100 °C。这是与底胶涂覆合并进行的。
底胶涂覆增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性。广泛使用: (HMDS)、在PR旋转涂覆前HMDS蒸气涂覆、PR涂覆前用冷却板冷却圆片。
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