市场上,光刻胶产品依据不同标准,NR75 1000HP光刻胶报价,可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类,光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺,形成的图形与掩膜版相同;使用负性光刻胶工艺,形成的图形与掩膜版相反。
按照感光树脂的化学结构分类,光刻胶可以分为①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,进一步引发单体聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特点;②光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性胶;③光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,NR75 1000HP光刻胶,在光的作用下,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,NR75 1000HP光刻胶厂家,可以制成负性光刻胶。
按照曝光波长分类,光刻胶可分为紫外光刻胶(300~450nm)、深紫外光刻胶(160~280nm)、极紫外光刻胶(EUV,13.5nm)、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同曝光波长的光刻胶,其适用的光刻极限分辨率不同,通常来说,在使用工艺方法一致的情况下,波长越小,加工分辨率越佳。
PR1-1000A1
NR9-3000PY 负性光刻胶
负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线(365 nm)曝光,可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻
和接触式光刻等工具。
显影之后,NR9-3000PY 展现出一种倒梯形侧壁,这可以方便地作单纯的LIFT-OFF 处理。
NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势:
- 优异的分辨率性能
- 快速地显影
- 可以通过调节曝光能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度
- 耐受温度100℃
- 室温储存保质期长达3 年
Lift-Off工藝
應用領域:LEDs,OLEDs,displays,MEMS,packaging,biochips。
濕法蝕刻,鍍 干法蝕刻(RIE/Ion Milling/Ion implantation)
附着力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C
Resist Thickness NR9-3000PY 负性光刻胶
负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线(365
nm)曝光,可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻
和接触式光刻等工具。
显影之后,NR9-3000PY 展现出一种倒梯形侧壁,这可以方便地作单纯的LIFT-OFF 处理。
光刻胶国内研发现状
“造成与国际水平差距的原因很多。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上,布局不合理、不完整,特别是生产加工环节的投资,而忽视了重要的基础材料、装备与应用研究。目前,整个产业是中间加工环节强,NR75 1000HP光刻胶公司,前后两端弱,技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。
光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、异物数量、附着力、阻抗等。每一项技术指标都很重要,必须全部指标达到才能使用。因此,国外企业在配方、生产工艺技术等方面,对中国长期保密。中国的研发技术有待进一步发展
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