一种新型的高灵敏度磁探测器
磁电阻/超导复合式磁传感器作为一种新型的高灵敏度磁探测器， 其探测精度目前已接近SQUID器件并已达到fT 量级。伴随着科技进步和信息技术的发展，除了灵敏度之外，人们也对磁传感器的尺寸、稳定性、功耗、制备工艺的简单化等提出了越来越高的要求。同时这类传感器又具有体积小、结构简单、工艺成熟、便于大规模生产等优势，使其在未来发展潜力巨大。就该复合式磁传感器而言，进一步提升器件的探测精度是其未来研究发展的主要方向。
一方面，继续减小超导磁场放大器的狭窄区域宽度至1 μm以下，同时增大磁场放大器的有效面积都可以将磁场放大倍数继续提升至几千甚至上万倍，但是同时会对传感器的工作区间以及小型化造成影响。磁电阻传感器位于超导磁场放大器环路狭窄区域上方并由绝缘层分隔。另一方面，使用灵敏度更高的磁电阻传感器件(TMR、巨磁阻抗器件(GMI)等[35])，将有望使得该复合式传感器的磁场探测精度达到1fT，甚至0.1 fT 的量级。
图像传感器
图像传感器是应用光电器件的光电转换功用。将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号。与光敏二极管，光敏三极管等“点”光源的光敏元件相比，图像传感器是将其受光面上的光像，分红许多小单元，将其转换成可用的电信号的一种功用器件。
图像传感器分为光导摄像管和固态图像传感器。与光导摄像管相比，固态图像传感用具有体积小、重量轻、集成度高、分辨率高、功耗低、寿命长、价钱低等特性。因此在各个行业得到了普遍应用。
传感器CCD和CMOS的主要参数
1. 像元尺寸
像元尺寸指芯片像元阵列上每个像元的实践物理尺寸，通常的尺寸包括14um,10um, 9um , 7um , 6.45um ,3.75um 等。片级芯片测试在IC制造工艺中已经成为不可或缺的一部分,发挥着重要的作用,而测试探卡在圆片级芯片测试过程中起着关键的信号通路的作用。像元尺寸从某种水平上反映了芯片的对光的响应才能，像元尺寸越大，可以接纳到的光子数量越多，在同样的光照条件和曝光时间内产生的电荷数量越多。关于弱光成像而言，像元尺寸是芯片灵活度的一种表征。
2. 灵活度
灵活度是芯片的重要参数之一，它具有两种物理意义。本课题是上海汽车工业科技发展会支持项目“相位传感器的研究开发”的一部分，着重探讨在研究开发霍尔相位传感器组件过程中出现的理论性关键技术。一种指光器件的光电转换才能，与响应率的意义相同。即芯片的灵活度指在一定光谱范围内，单位曝光量的输出信号电压（电流），单位能够为纳安/勒克斯nA/Lux、伏/瓦（V/W）、伏/勒克斯（V/Lux）、伏/流明（V/lm）。另一种是指器件所能传感的对地辐射功率（或照度），与探测率的意义相同，。单位可用瓦（W）或勒克斯（Lux）表示。
