光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，温度传感器电路，以及物体的形状、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。
M8101.是一款专门应用于光电感应测控领域，光明新区温度传感器，针对PLC/单片机。工控设备等光电应用控制芯片。芯片表面封合了高敏光信号接收管。发射管通过新品托内部调制，能够的避免误动作及环境光干扰。针对光感元器件长久以来面对的长距离对射、漫反射镜面反射等复杂的场景，M8101都能做到处理。茂捷半导体工匠精神的支撑下面对数百万次的密集测试，在长距离对射、漫反射场景中M8101所表现的精度能超越国际厂商1.54代以上。并且M8101精简的外围器件设计。在此茂捷半导体沿用的超小封装QFN4*4的封装形式。使其能广泛的应用于各类及其苛刻的设计环境。
TMR/超导复合式磁传感器
1995 年，由美国麻省理工学院和日本东北大学的两个研究小组独立发现，将两个磁性电极层之间用极薄的绝缘层分开会产生很大的磁电阻效应(室温下达到11%)。这种由磁性层/绝缘层/磁性层构成的结构，称为磁性隧道结(MTJ)。在MTJ 中，中间的绝缘层很薄(几个纳米)，使得可以有大量电子隧穿通过。通过隧道结的电流依赖于两个磁性层的磁化强度矢量的相对取向。这种隧穿电流随外磁场变化的效应被称为隧道磁电阻(TMR)效应。隧道磁电阻效应可以由Julliere 双电流模型解释。假定电子在隧穿过程中自旋不发生翻转，并且隧穿电流正比于费米面附近电子的态密度。当MTJ两侧铁磁层处于平行排列时，左侧的少子电子向右侧的少子空态隧穿，左侧的多子电子向右侧的多子空态隧穿，MTJ 处于低阻态；当MTJ两侧铁磁层处于反平行排列时，左侧的少子电子向右侧的多子空态隧穿，而左侧的多子电子向右侧的少子空态隧穿，MTJ 呈现高阻态。
由于贴合TMR器件与超导磁放大器的低温胶过厚导致TMR—超导磁放大器间距过大(50 μm)，使得TMR/超导复合式磁传感器的灵敏度、探测精度较GMR/超导复合式磁传感器、SQUID 等器件仍有明显差距。理论计算表明，减小TMR—超导磁放大器间距将使得磁场放大倍数呈指数形式上升；若能将TMR—超导磁放大器间距降低至0.5 μm以内，磁场放大倍数可接近1000 倍。今后可通过热压印等技术减小TMR—超导磁放大器间距，从而提高器件的灵敏度。
有许多应用，特别是在汽车系统中，需要以好精度和高可靠性测量物体的水平运动。一些常见的解决方案基于电位计，LVDT（线性电压差动变压器）和带磁场传感器的磁铁。基于电位计的解决方案易于机械磨损，空调温度传感器位置图，LVDT大而且昂贵，并且磁铁加传感器解决方案通常精度较低。
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然而，通过使用磁场角度传感器IC代替传统的单轴传感器，几乎消除了与磁铁和传感器解决方案相关的主要误差源，从而实现了低成本，高可靠性和好精度的线性方法滑动位置感应。
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