良好的MOSFET驱动电路需要满足以下要求：
1、开关管开启瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流，使MOSFET栅源极之间的电压迅速上升到所需的值，以保证开关管能迅速开启，且无高频振荡沿上升方向。
2、开关导通期间的驱动电路能够保证MOSFET栅源间电压的稳定和可靠导通。
3、关断瞬时驱动电路为MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放提供了尽可能低的阻抗，保证了开关管的快速关断。
4、驱动电路结构简单可靠，损耗小。
5、视情况实行隔离。
IGBT的驱动电路特点（一）
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，oled驱动ic厂家，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，龙岗区驱动ic厂家，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
输出特性与转移特性：
IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，液晶面板驱动ic厂家排名，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。
IGBT与MOSFET的对比：
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
主要优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
瑞泰威公司生产的ML4428无刷直流电机无传感器PWM智能控制器的内部结构，它是无位置传感器无刷直流电动机控制的简易方法，该控制器内部的反电势电路、起动及换向逻辑电路、限流比较器和保护电路简化了无位置传感器无刷直流电动机的控制，做到单独控制的正反向运行，起动时无反转，采用PWM控制或噪声的线性控制，可获得。
1 引言
无刷直流电机具有体积小、重量轻、维护方便、节能、易于控制等一系列优点，被广泛应用于各个领域。传统的无刷直流电机大多以霍尔元件或其它位置检测元件作位置传感器，但位置传感器维修困难，且霍尔元件的温度特性不好，导致系统可靠性变差。因此，无位置传感器无刷直流电机成为理想选择，并具有广阔的发展前景，但它的控制电路相当复杂。ML4428控制芯片的出现，简化了控制电路的设计，该芯片内部含有反电势检测电路、起动换向逻辑电路和保护电路，使控制器芯片只需外接少量的阻容元件就可以实现对直流无刷电动机的控制。
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