这俩设备非常简单的表述便是光刻机把原理图投射到遮盖有光刻胶的硅片上边，刻蚀机再把刚刚画了原理图的硅片上的不必要原理图浸蚀掉，那样看上去好像没有什么难的，可是有一个品牌形象的形容，每一块集成ic上边的电源电路构造变大成千上万倍看来比全部北京市都繁杂，这就是这光刻和蚀刻加工的难度系数。光刻的全过程就是目前制做好的硅圆表面涂上一层光刻胶(一种能够被光浸蚀的胶状物化学物质)，下面根据光源(加工工艺难度系数紫外线＜深紫外线＜极紫外线)通过掩膜照射硅圆表面(相近投射)，由于光刻胶的遮盖，照射的一部分被浸蚀掉，沒有阳光照射的一部分被留下，黑河标牌雕刻机金属上刻字，这一部分就是必须 的电源电路构造。蚀刻加工分成二种，一种是干刻，一种是湿刻(现阶段流行)，说白了，湿刻便是全过程中存水添加，将上边历经光刻的圆晶与特殊的化学溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是电源电路构造了，干刻现阶段都还没完成商业服务批量生产，其基本原理是根据等离子技术替代化学溶液，除去不用的硅圆一部分。 
碱性蚀刻液一般适用于多层印制板的外层电路图形制作，这种蚀刻方法在线路板制作中应用非常广泛，特别是图形电镀，这是较好的蚀刻方法之一。同时碱性蚀刻速度快，侧蚀刻小，溶铜量大，蚀刻液可以再生连续使用。
碱性CuCl2蚀刻液主要是由CuCl2和NH3-H2O组成，在CuCl2溶液中加入NH3-H2O会发生如下络合反应：CuCl2 4NH3-H2O＝[Cu(NH3)4]Cl2 4H2O，在蚀刻机药箱内，铜被[Cu(NH3)4]2 络离子氧化成Cu 。其氧化反应如下：[Cu(NH3)4]Cl2 Cu＝2[Cu(NH3)2]Cl。生成的[Cu(NH3)2] 为Cu 的络离子，不具有氧化能力，大功率标牌雕刻机金属上刻字，在有过量NH3-H2O和Cl-存在的前提下，能很快被空气中的氧气所氧化，生产具有蚀刻能力的[Cu(NH3)4]2 。其络离子再生反应如下：
2[Cu(NH3)2]Cl 2NH4Cl 2NH3-H2O 1/2O2＝2[Cu(NH3)4]Cl2 2H2O。
从上面的化学方程式可以看出，在蚀刻机工作过程中，每腐蚀1mol铜需要消耗2mol NH3-H2O和2mol NH4Cl。因此在腐蚀机蚀刻过程中，自动标牌雕刻机金属上刻字，随着铜的溶解，应不断补充NH3-H2O和NH4Cl。
所谓目标性，就是通过某一工艺流程的全过程有一个明确的输出，或者说要达到某一特定的目的。对于金属蚀刻而言，这个目的就是满足其设计图纸对产品的要求。更具体地说，这些
要求包括产品的蚀刻尺寸要求、经蚀刻后的表面粗糙度要求等。
比如，对于装饰用途的图文蚀刻产品，经过所设计的工艺流程加工制作完成后所要达到的目标:①要求经蚀刻后的图文清晰度要高;②要求经蚀刻后金属表面粗糙度要符合设计要求;③要求图文的蚀刻深度要满足设计要求;④工件在蚀刻过程所发生的形变要在设计规定的范围之内;等等。
再如，对于结构用途的产品，经过所设计的工艺流程加工制作完成后所要达到的目标:①经蚀刻后的工件其蚀刻深度是否在设计规定的公差范围之内;②经蚀刻后的工件其横向蚀刻尺寸变化后的实际尺寸是否在设计规定的公差范围之内，③经蚀刻后的工件表面粗糙度是否满足设计要求等等。
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