标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 -
其它名称 DMN6068LK3-13DITR
DMN6068LK313
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 10.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 502pF @ 30V
Vgs(大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 2.12W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 68 毫欧 @ 12A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
文档
PCN 设计/规格 Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
图像和媒体
产品相片 TO-252-2
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