标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 DMPH6050SK3-13DITR
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.2A（Ta），23.6A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1377pF @ 30V
Vgs（大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 1.9W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 50 毫欧 @ 7A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
图像和媒体
产品相片 TO-252-2
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