SU-8 2000 永久性环氧负性光刻胶:SU-8 2025,SU-8 2035,SU-8 2050,SU-8 2075
SU-8 2000是一种高对比度的环氧树脂基光刻胶,适用于微加工和其他微电子应用领域,需要厚、化学和热稳定的图像。SU-8 2000是SU-8的改进配方,多年来被MEMS生产厂家广泛使用。采用更快的干燥速度,更极性的溶剂体系,可改善涂层质量,提高工艺吞吐量。SU-8 2000有12种标准粘度可供选择。薄膜厚度0.5到>200微米,可以通过一个单一的涂层工艺实现。暴露的和随后的热交联部分的薄膜是不溶性的液体显影液。SU-8 2000具有良好的成像特性,能够产生非常高的展弦比结构。SU-8 2000在360纳米以上具有非常高的光学传输能力,这使得它非常适合在非常厚的薄膜中近垂直侧壁成像。SU-8 2000最适合永久应用,它是成像,固化和留在设备上。
SU-8 2000 特性
•高纵横比成像
•0.5 > 200 m 膜 厚度 在 一 个 外套
•改善涂层性能
•加快干燥速度,提高产量
•近UV (350-400 nm)加工
•胎侧垂直
处理指南
SU-8 2000光刻胶最常用的是传统的UV (350-400 nm)辐射,尽管i-line (365 nm)是推荐的波长。SU-8 2000也可以用电子束或x射线照射。在曝光后,交联过程分为两个步骤(1)在曝光过程中形成强酸,接着是(2)在曝光后烘烤(PEB)过程中酸催化、热驱动环氧交联。正常的工艺是:旋涂、软烤、曝光、PEB,然后显影。当SU-8 2000结构仍将作为设备的一部分时,建议使用受控硬烘焙技术进一步交叉连接这些结构。整个过程应针对具体应用进行优化.
衬底制备
为了获得最大的工艺可靠性,在使用SU-8 2000抗蚀剂之前,基板应保持清洁和干燥。为了达到最佳效果,底物应该用食人鱼湿蚀刻(使用H2SO4和H2O2)清洗,然后用去离子水冲洗。基片也可以用反应离子蚀刻法清洗(RIE)或任何装有氧气的桶式装置。通常不需要附着力促进剂。对于包括电镀在内的应用,推荐使用MCC引物80/20 (HMDS)对基体进行预处理。