湘潭方正电气成套设备-电解锑整流控制柜报价

产品编号:92594859 修改时间:2021-01-22 10:19
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硅整流

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,电解锑整流控制柜报价,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成

当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,便有基流ib2流过BG2,经它放大,其集电极电流β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失,可控硅仍然能够维持导通状态,数控整流控制柜报价,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,电解锑整流控制柜报价,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化






整流器——三极管参数

但是,如果考虑到开关速度和电流容限,则hFE的i大值就受到限制;第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件,例如hFE为10到15,甚至8到10的三极管就一度很受欢迎(后来,由于基极回路流行采用电容触发线路,hFE的数值有所上升),hFE的数值小则饱和深度小,江苏整流控制柜报价,从而有利于降低晶体管的发热。

实际上,晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响,因而通过磁环及绕组参数、基极电阻Rb的调整,也可以降低饱和深度。






断整流器的正负极的方法

1、在线测量:在整流器工作状态下,使用数字万用表电压档,红表笔接触整流器接线圈的任意一个端子,黑表笔接触剩余的两个接线端子(除三个线圈所接的端子外),读数显示是正值时,黑表笔接触的就是正极,另一个端子是是负极。

2、离线测量:在整流器不通电的状态下,使用数字万用表二极管档,红表笔接触整流器接线圈的任意一个端子,黑表笔接触剩余的两个接线端子(除三个线圈所接的端子外),读数显示0.7V左右,黑表笔接触的就是正极,另一个端子是是负极。






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