大功率低容值瞬变二极管阵列
瞬态电压抑制元件LC03-3.3，LC03-6
瞬态电压抑制元件LC03-3.3，LC03-6
LC Series 18 V 1800 W SMT Low Capacitance TVS for High Speed Interface - SOIC-8
可以保护连接到高频成分从电压高速数据通信线路浪涌引起的雷电，静电放电（ESD），电快速瞬变（EFT）。
适用于：低压接口•T3／E •10/100 /1000以太网•机顶盒•ISDN接口，低工作电压3.3V大大减少发热带来的影响，高功率使数据传输更便捷，其内部结构特殊（详见下方电路图）
LC03-3.3电特性（Features）：
1、高速接口的低电容。
2、超低漏：nA水平。
3、低工作电压：3.3V。
4、超低的箝位电压。
5、保护两线的共模和差模
6、jedec SO - 8封装
7、符合以下标准：
IEC61000-4-2（ESD）静电试验
空气放电: ±30Kv
接触放电: ±30kV
IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
IEC61000-4-5 (Lightning) 100A (8/20μs)
符合rohs标准
大功率低容值瞬变二极管阵列
TVS LC03-6.TBT参数
TVS LC03-6.TBT参数
电压, Vrwm: 6V
击穿电压范围: 6.8V
钳位电压 大: 20V
峰值脉冲电流: 100A
封装形式: SOIC
针脚数: 8
二极管类型: TVS
击穿电压: 6.8V
击穿电压 小: 6.8V
封装类型: SOIC
封装类型: SOIC
工作温度范围:-55°C到 +125°C
截止电压: 6V
电容, Cd典型值 @ Vr: 8pF
