产品技术参数规格书
1、Crystalline structure 晶体结构：Monocrystalline
2、Growth Method 生长方式：Cz
3、Dopant 掺杂剂：B/P/As/Sb
4、Conductance type 导电类型：P/N
5、Orientation 晶向：111/100/110
6、Resistivity 电阻率：0.001-1000 Ω.cm
7、Diameter 直径：4英吋~15英吋（Customer standard）
8、Dislocation density 位错密度：Acceptable or None
9、Oxygen Concentration 氧含量：≤18ppma(New ASTM）
10、Carbon Concentration 碳含量：≤1ppma
11、RRG 电阻率均匀性：Customer standard
12、ORG 氧含量均匀性：Customer standard
13、Surface metals 金属含量：≤5E10 atoms/cm2
14、Notch 定位槽：SEMI Standard
15、Notch Depth 定位槽深度：1.0+0.25/-0.00
16、Notch Angle 定位槽角度：90º+5º/-1º
17、Notch Orientation 定位槽方向：<100>±1°or <110>±1°
18、Rolling 滚磨：Yes or N0
19、length 晶棒长度：≥100mm
20、Quantity 订购量：≥200kg
产品性能：高纯硅制作≥12N
产品优点：P型/N型
产品用途：IC集成、分立器件、硅靶材、光学元器件、硅基底材料等
售后服务：上海和合肥两处售后中心
产品包装：泡沫木箱
